تم اختبار Snapdragon 855 كأول شريحة في العالم بتصميم 7 نانومتر
أعلنت شركة Qualcomm أمس عن أحدث موديم LTE من طراز Snapdragon X24 والذي يصل إلى 2Gbps. إنه أول معدل Cat.20 في العالم ، ولكن الأكثر إثارة للاهتمام هو أنه يستند إلى عقدة عملية 7nm. سابقا ، لقد سمعنا كوالكوم و MediaTek واجهت بعض الصعوبات في صنع رقائق 7nm. لكن المستقبل هنا. في وقت لاحق، رولاند كواندت تم نشر أول 5G SoC في العالم على عملية التصنيع 7nm في اختبارات بالفعل. انها Snapdragon 855.
في الأسبوع الماضي ، أظهر صانع الرقائق الأمريكي تقنيات جديدة في مواجهة مشاركة الطيف و URLLC (اتصال منخفض الكمون منخفض الموثوقية). وفقًا للإعلان الرسمي ، يجب عليهم تعزيز السرعة وفقًا لمعايير 5G NR المعتمدة حديثًا. ولكن قبل حدوثها ، يجب على الشركات المصنعة توفير بيانات متنقلة عالية السرعة. تعتبر إكسكنومكس أول رقاقة متنقلة في العالم تصل إلى هذه النتائج. إنها خطوة مذهلة من Cat.24 من Snapdragon 835 والتي توفر سرعة 16Gbps. يمكن الوصول إلى هذا الاتصال السريع بسبب دعم تجميع حامل 1x على الوصلة الهابطة وكذلك 7 × 4 MMIO (إدخال ومخرج متعدد المستخدمين) على مشغلات 4 التجميعية. كما قلنا ، فهو يدعم سرعات تحميل الفئة 5 و 20 × 3 MHz CA وحتى 20-QAM عندما يتعلق الأمر بالوصلة الصاعدة.
أول هاتف له أحدث شريحة Snapdragon 845 سيصل إلى السوق في الأيام القادمة. لكنهم سيواصلون استخدام عقدة عملية 10nm. لذا يجب أن تظهر الشرائح الأولى والهواتف التي تعمل على إكسينومكس في السوق في 24 فقط. في وقت سابق سمعنا أن أول رقاقة تعمل على عقدة عملية 2019nm ستكون Snapdragon 7. لكن تغريدة الأمس تظهر بوضوح أنه سيتم تسمية Snapdragon 855. على الرغم من أن المؤلف لم يكشف عن أي معلمات للرقاقة القادمة ، إلا أننا نعتقد بشدة أنه سيعزز كفاءة الطاقة ، AI ، ISP ، التخزين (UFS855) ، إلخ.
